Forskere ved universitetet i Aarhus har fundet en fysisk effekt, som tegner til at blive et afgørende gennembrud for spintronics-elektronikken, som blev forudsagt for 20 år siden. Det skriver Ingeniøren.
De har opdaget et velegnet stof, en slags halvleder, som kan danne basis for en brugbar spin-FET-transistor. Det vil sige en transistor, som åbner kanalen mellem source og drain (indgang og udgang) ved at vende elektronernes spinretning.
Fysiske forsøg er gennemført
»En spin-FET kan bruges til mange ting. For eksempel til computerchips og -hukommelser, som ikke bruger ret meget strøm. Det er også en af de komponenter, der ligner det, man mangler inden for kvantecomputing,« siger professor Philip Hoffman, Interdisciplinary Nanoscience Center på Aarhus Universitet.
Transistoren er ikke konstrueret endnu, men de fysiske forsøg, som viser, at det er muligt at skifte tilstand i en spin-FET ved stuetemperatur, er nu gennemført. Forskningsrapporten er publiceret i forskningsmagasinet Physical Review Letters.
